YS6964Z-5BB

Configuration : Single; MOSFET Type : N; ESD : No; VDS V : 60; VGS V : ±20; Vth (Min) V : 1; Vth (

YELST233R3A5G

Package : SOT-23; Configuration : Bi-Dir; Typical Capacitance at 1MHz (pF) : 3; VRWM, Reverse Stan

WMG100H12T2S

Housing:: WeEnPack 62mm; Configuration:: Half Bridge; Description:: high efficiency and ease to use; Voltage class(V):: 1200; Icmax(A):: 100; Isolation Material:: Al2O3; Features:: solder pin; Other features:: solder pin; Tj(max)(℃):: 175; Qualification:: Industrial;

VS6850GL

Package : SOT23-3L;Type : NMOS;BVDSS[V] : 60.00;BVGS[V] : 20.00;

TXG8010-Q1

汽车级 ±80V、1 位固定方向接地电平转换器
TI

VST002N06MS-K

Package : TO-220AB;Type : NMOS;BVDSS[V] : 60.00;BVGS[V] : 20.00;

SS510

VRRM V : 100; IO(Max) A : 5; IFSM A : 100; VF @ IF (Max) V : 0.85; VF @ IF A : 5; IR@VR(Max) uA : 200; IR@VR V : 100; Package : SMA/DO-214AC; AEC-Q Qualified : NO;

VS68306GPM

Package : PDFN5X6;Type : NMOS;BVDSS[V] : 60.00;BVGS[V] : 20.00;

WG75N65MAW1

Package:: TO247; Technology:: Trench Field-stop; Build-in Diode:: Yes; Voltage class(V):: 650; Ic

VSM002N06MS-K

Package : TO-263;Type : NMOS;BVDSS[V] : 60.00;BVGS[V] : 20.00;

YELD1020514AG

Package : DFN1006-2; Configuration : Bi-Dir; Typical Capacitance at 1MHz (pF) : 1.5; VRWM, Reverse Stand off Voltage (V) : 5; VBR@IT, Min. Breakage Voltage (V) : 6; IR, Max. Reverse Leakage Current (uA) : 1; Peak Pulse Power at 8/20us (W) : 230; Peak Pulse Current at 8/20us (A) : 14; AEC-Q101 : No;

SK810

VRRM V : 100; IO(Max) A : 8; IFSM A : 200; VF @ IF (Max) V : 0.85; VF @ IF A : 8; IR@VR(Max) uA : 1000; IR@VR V : 100; Package : SMC/DO-214AB; AEC-Q Qualified : NO;

TYN65-800T

Package:: TO220; VRRM/VDRM(V):: 800; IT(AV)(A):: 41; IT(RMS)(A):: 65; ITSM(A):: 650; IGT(max)(mA):: 35; dVD/dt(V/us):: 1000; Tj(max)(℃):: 150; Qualification:: Industrial;

LMR60410-Q1

具有低 Iq 和高效率且 COUT 超低的汽车级 36V 1A 同步降压转换器
TI

MBR20100CD2

VRRM V : 100; IO(Max) A : 20; IFSM A : 200; VF @ IF (Max) V : 0.85; VF @ IF A : 20; IR@VR(Max) uA : 50; IR@VR V : 100; Package : TO-263AB; AEC-Q Qualified : NO;
集管和边缘连接器 固定电容器 齐纳二极管 电源模块 固定电阻器 微控制器 整流二极管 瞬态抑制器 固定电感器 电源管理电路 开关式稳压器或控制器 SRAM 翘板开关 XO 线性稳压器IC 模数转换器 EEPROM 总线驱动器/收发器 石英晶体 D 型连接器 运算放大器 其他互连器件 小信号双极晶体管 闪存 功率场效应晶体管 军用圆形连接器 桥式整流二极管 电阻器/电容器网络 栅极 可见光 LED 可控硅整流器 其他稳压器 线路驱动器或接收器 其他模拟IC 光纤发射器 插槽和芯片载体 电熔丝 DRAM 复用器或开关 光耦合器 旋转开关 功率双极晶体管 数模转换器 其他光纤器件 其他振荡器 其他圆形连接器 现场可编程门阵列 其他晶体管 触发器/锁存器 参考电压源 可编程逻辑器件 时钟驱动器 电源连接器 端子和端子排 VCXO 功率/信号继电器 OTP ROM 数字电位计 数据线路滤波器 时钟发生器 其他商用集成电路 FIFO 压力传感器 延迟线 小信号场效应晶体管 复用器/解复用器 计数器 TRIAC 音频/视频放大器 固态继电器 比较器 IGBT 其他 uPs/uCs/外围集成电路 非线性电阻器 显示驱动器 LED 显示器 光纤收发器 外围驱动器 射频/微波放大器 电信连接器和数据通信连接器 解码器/驱动器 并行 IO 端口 运动控制电子器件 MOSFET 驱动器 移位寄存器 射频小信号双极晶体管 其他电信集成电路 EPROM 硅浪涌保护器 光学位置编码器 其他接口集成电路 温度传感器 其他内存集成电路 数字信号处理器 快动/限位开关 钽电容器

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